设备用途：实验炉是半导体加工中的典型热处理设备，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件、光导纤维等行业中进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
主要技术参数：
◆工艺管数量：1-4管
◆工艺管口径：Φ90-360mm（3～12英寸）
◆工作温度范围：400～1280℃
◆恒温区长度及精度±0.5℃/1080mm
◆工艺均匀性:≤±5％（30~60欧姆）
◆结构型式：卧式热壁型
◆气体流量设定精度:±1％F.S
◆气路系统气密性： 1×10-7pa.m3/s
◆超净工作台：净化等级：100级（万级厂房）噪音：≤62dB（A）震动：≤3μm
◆记录工艺曲线数量及工艺步数不受限制
◆控制方式： 工业微机控制
产品描述：
◆高 性 能进口元器件
组合关键件采用进口管件，且为半导体级别；优 质的元器件组合，从而保 证成膜质量。
◆高精度温度控制
新 型炉体设计，提高了温度稳定性；配合高精度温控仪的使用，保证工艺过程中温度的快速稳定。
◆软着陆载片装置
软着陆送料装置，避免了SiC桨的遮挡影响，提高了扩散均匀性。同时桨的清洗周期大幅度延长。