CMT-RIV1675-PSOIC8-T产品说明：
工作于温度范围：-55°C至+175°C
工作电压：5V±10%
内部滞后：典型值6 mV。
推挽式CMOS输出级：±16mA
传播延迟：典型值29ns。（带20mV超速档）
停机电流消耗：典型值为1nA。（25°C）
静态电流消耗：
o典型值为600µA。（25°C时）
o典型值1.2 mA。（175°C时）
工作频率：典型频率为25 MHz。
在175°C下验证超过1000小时的寿命时长。
CMT-RIV1675-PSOIC8-T产品说明：
工作于温度范围：-55°C至+175°C
工作电压：5V±10%
内部滞后：典型值6 mV。
推挽式CMOS输出级：±16mA
传播延迟：典型值29ns。（带20mV超速档）
停机电流消耗：典型值为1nA。（25°C）
静态电流消耗：
o典型值为600µA。（25°C时）
o典型值1.2 mA。（175°C时）
工作频率：典型频率为25 MHz。
在175°C下验证超过1000小时的寿命时长。