NOR Flash
portant;">（1）能像RAM一样寻址
portant;">NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
portant;">（2）用户可以直接运行装载在NOR Flash里面的代码
portant;">NOR Flash有自己的数据和地址总线，因此可采用类似RAM的随机访问。各单元之间是并联的，对存储单元进行统一编址（有独立地址线），所以可以随机访问任意一个字。
portant;">应用程序可以直接在NOR Flash内运行（应用程序的Code和RO段可以直接在NOR Flash上运行，只需要把RW段和ZI段拷贝到RAM中运行即可），不必再把代码读到系统RAM中去。
portant;">但NOR Flash不能像RAM以字节改写数据，只能按页依次写数据，故NOR Flash不能代替RAM。
portant;">（3）有更快的读取速度，处理小数据量的I/O操作速度更快
portant;">NOR Flash可以对字进行操作，相比于NAND Flash有更快的读取速度，更慢的擦写速度。但NAND Flash页是读写数据的小单元（一般512B），块是擦除数据小单元（一般是8KB）。相对而言，对小数据量的I/O操作NOR Flash速度更快且更方便。
portant;">（4）擦除既可整页擦除，也可整块擦除。擦写次数是10万次，不适合频繁擦写
portant;">Flash檫写的次数都是有限的，Flash写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解。当Flash接近使用寿命时，经常会出现一些操作失败。到达使用寿命时，Flash内部存放的数据虽然可以读，但是不能再进行写操作，所以为了防止上面问题的发生，不能对Flash的某个特定的区域反复进行擦写操作。
portant;">（5）随机存储介质，适合做程序存储并XIP
portant;">（6）在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益
portant;">NOR Flash容量较小，成本较高。
portant;">（7）可靠性相对更高
portant;">NOR Flash的接口简单，数据操作少，因此可靠性高，极少出现块区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。
portant;">（8）存储密度较低
2、NAND Flash
portant;">（1）有更快的写入和擦除速度
portant;">页是读写数据的小单元（一般512B），块是擦除数据的小单元（一般是8KB）。
portant;">（2）NAND的擦写次数是100万次
portant;">通常NAND Flash的可擦写次数高于NOR Flash，但是由于NAND Flash通常是整块檫写，块内的页面中如果有一位失效整个快就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的概率相对较高，所以从整体上来说NOR Flash的寿命较长。
portant;">（3）连续存储介质，适合做数据存储
portant;">（4）容量较大，成本较低
portant;">由于对NAND Flash的操作都是以块和页为单位的，所以在向NAND Flash进行大量数据读写时，NAND Flash的速度要快于NOR Flash，并且NAND Flash成本较低。
portant;">（5）可靠性相对更低
portant;">NAND Flash接口和操作均相对复杂，NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。同时NAND Flash位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正算法来确保数据的完整性，因此出现问题的几率要大的多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到。建议在使用NAND Flash时，要采用EDC/ECC等校验算法。
portant;">（6）坏块随机分配，需要进行坏块管理
portant;">在NAND Flash中，由于坏块是随机分布的，因此需要进行扫描并将坏块打上标记。坏块的存在使得向NAND Flash写入信息需要相当的技巧，因为绝不能向坏块写入，这意味着在NAND Flash上自始自终都必须进行虚拟映射。
portant;">（7）存储密度较高
portant;">（8）使用NAND Flash时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作
portant;">在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。