碳化硅芯片用高导热高可靠性低温烧结银钜合SECrosslink® H80E
产品介绍
SECrosslinkR H80E是一款低温无压烧结银，具有高导热系数、高粘接强度、高导电性、无孔洞、无分层、高可靠性等特点，适用于镀银、镀金和PPF等框架，应用于第三代半导体芯片的封装。
特点
· 低温烧结性能
· 超高导热系数
· 良好的芯片粘接力
· 优异的点胶&划胶性能
· 可控的Fillet height
· 长Open time
· 无Void
· 无分层
· 高可靠性
性能参数
剪推力（2×2 mm Si /Au-Ag LF, Kg，RT) 13
剪推力（2×2 mm Si /Au-Ag LF, Kg，260℃) 5.6
玻璃化温度(℃) 210
储能模量（MPa，25℃) 22,100
导热系数(W/m·k) 100
推荐固化条件
2 h @200 ℃
储存
储存条件 - 40℃ ；
保质期 12 个月
钜合（上海）新材料科技有限公司