钜合100W高可靠性半导体芯片用低温烧结银

钜合100W高可靠性半导体芯片用低温烧结银

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钜合(上海)新材料科技有限公司
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碳化硅芯片用高导热高可靠性低温烧结银钜合SECrosslink® H80E

产品介绍

SECrosslinkR  H80E是一款低温无压烧结银,具有高导热系数、高粘接强度、高导电性、无孔洞、无分层、高可靠性等特点,适用于镀银、镀金和PPF等框架,应用于第三代半导体芯片的封装。

 

特点

· 低温烧结性能

· 超高导热系数

· 良好的芯片粘接力

· 优异的点胶&划胶性能

· 可控的Fillet height

· 长Open time

· 无Void

· 无分层

· 高可靠性

 

性能参数

剪推力(2×2 mm Si /Au-Ag LF, Kg,RT) 13

剪推力(2×2 mm Si /Au-Ag LF, Kg,260℃) 5.6

玻璃化温度(℃) 210

储能模量(MPa,25℃) 22,100

导热系数(W/m·k)    100

 

推荐固化条件

2 h @200 ℃

储存

储存条件 - 40℃ ;

保质期 12 个月

钜合(上海)新材料科技有限公司

 


人气
27
发布时间
2025-06-09 09:05
所属行业
导电胶
编号
41614803
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