低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
热氧化与化学气相沉积不同，MEMS真空镀膜加工，她是通过氧气或水蒸气扩散到硅表面并进行化学反应形成氧化硅。热氧化形成氧化硅时，会消耗相当于氧化硅膜厚的45%的硅。.
LPCVD工艺在衬底表面淀积一层均匀的介质薄膜，在微纳加工当中用于结构层材料、牺牲层、绝缘层、掩模材料，LPCVD工艺淀积的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀积采用不同的气体。
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“低温CVD”工艺应用范围十分广泛，我们半导体研究院在该领域拥有多年经验。对于无法承受高温的基材，MEMS真空镀膜厂商，PECVD工艺是极具吸引力的替代方案。例如，MEMS真空镀膜工艺，该工艺支持在塑料膜材上制备功能薄膜。由于高温下的扩散工艺可能会破坏掺杂剖面，所以PECVD镀膜工艺被广泛应用到半导体领域中。此外，PECVD工艺也可用于制备微电子器件所需的多晶硅、氮化硅或氧化硅等多种复合材料。PECVD设备可根据客户需求定制并根据其预期工艺指标适配。我们也经常在溅射设备内配置PECVD工艺模块，拓展技术能力。
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化学气相沉积(CVD)是反应气体在一定条件下分解并发生化学反应，终生成固态物质沉积在基体表面继而形成薄膜的一种技术。在工艺上与其他薄膜沉积技术相比，具有沉积速度快、膜层质量好等优点，且已广泛应用于电子、光电子、表面改性等领域。该技术的缺点是沉积工艺温度过高，台湾MEMS真空镀膜，一般在(900℃～1200℃)之间，被处理的基体在高温下易变形、基体晶粒长大、致使基材性能发生改变，甚至某些相对低熔点的合金基材：如(Al合金)无法涂覆，而PECVD在很大程度上改进了CVD的这些缺点。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。
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