XRD薄膜检测XRD残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
薄膜材料就是厚度介于一个纳米到几个微米之间的单层或者多层材料。由于厚度比较薄，薄膜材通常依附于一定的衬底材料之上。常规XRD测试，X射线的穿透深度一般在几个微米到几十个微米，这远远大于薄膜的厚度，导致薄膜的信号会受到衬底的影响。
另外，XRD薄膜检测价格，随着衍射角度的增加，天津XRD薄膜检测，X射线在样品上的照射面积逐渐减小，XRD薄膜检测平台，X射线只能辐射到部分样品，无法利用整个样品的体积，衍射信号弱。薄膜掠入射衍射（GID：Grazing Incidence X-RayDiffffraction）很好地解决了以上问题。所谓掠入射是指使X射线以非常小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角大大减小了在薄膜中的穿透深度 。同时低入射角大大增加了X射线在样品上的照射面积，增加了样品参与衍射的体积。这里有两点说明：GID需要的硬件配置；常规GID只适合多晶薄膜和非晶薄膜，不适合单晶外延膜。
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由于材料存在织构，其sin2ψ曲线呈震荡型，选取的ψ角范围不同，得到的拟合直线的斜率和残余应力存在明显差异。在未知材料是否存在织构、晶粒是否粗大的情况下，不可选取较小的ψ范围和较少的ψ站数进行残余应力测定，否则会带来较大的测量误差。
对于sin2ψ曲线呈震荡型的织构材料，采用线性拟合未必是合理的，实际测量过程中，人们通常采用线性拟合的方式对这种震荡和测量误差引起的波动进行处理。关于ψ的范围，大达45°也未必合理，如果可以忽略穿透深度的影响，采用更大的ψ角会更有利于获得较为正确的结果。
对于粗晶粒材料或存在织构的材料而言，尽量扩大ψ角的设置范围，可以通过±ψ角的测量来消除ε-sin2ψ非线性分布的影响。对于小二乘法拟合回归直线而言，若自变量的间距越大(ψ范围越大)，测量的数据越多(ψ站数越多)，则拟合所得到的直线的准确度越高，XRD薄膜检测服务，测试得到的数值就越可靠。也可以通过增加X射线的照射面积，或是采用摆动法增加参与衍射晶粒的数量来提高测试精度。
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表征光路及其需要用到的附件
在进行薄膜测试时，我们需要特殊的X射线衍射仪。当我们使用普通测试粉末衍射的聚焦光束来进行物相分析时影响并不大，但是当我们需要评估薄膜质量时，使用平行光路就更为合适了。这时候我们就需要利用特别的光路设计将发散的聚焦光路转换为平行光路。
外延薄膜通常都是的结晶半导体化合物。为了表征其晶体质量也就是评估薄膜晶体的与否，这时候我们需要用到Rocking Curve即摇摆曲线来对薄膜进行评估。并且这时候我们需要在光路中设计一些元件来过滤掉Cu靶辐射出来的CuKα2和CuKβ射线，仅有CuKα1射线波长，从而提高光路的分辨率，防止别的X射线的干扰。
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