磁控溅射硅靶材Si靶单晶硅多晶硅靶材高纯硅靶

陶瓷靶材采用常压烧结,气氛烧结,热等静压烧结等工艺,严格控制原料的纯度,成分及成型坯料额设计尺寸,坯料经过精密机械加工成靶材,可根据客户要求定制加工特殊掺杂比例靶材。

支持合金靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！

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晶迈中科磁控溅射硅靶材Si靶单晶硅多晶硅靶材高纯硅靶电子束镀膜蒸发料

纯度 99.99%

产品介绍

      硅也是极为常见的一种元素，它分为有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。

产品用途

     用于制合金、有机硅化合物和四氯化硅等，是一种极重要的半导体材料。1.用于制造合金、有机硅化合物和四氯化硅等, 是一种极重要的半导体材料。2.用作制造单晶硅的原料，还用于电子工业 3.是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等 4.用于制造半导体分立器件、功率器件、集成电路和外延衬底等。 5.主要用于制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金等 6.用于制晶体管、整流器和太阳能电池，还用于制高硅铸铁、硅钢、各种有机硅化合物等 7.用作制备单晶硅的原料。 8.主要用作制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金的化合物。

产品参数

中文名 硅  原子量 28.0855  原子序数 14   颜色/外观 深灰色，带有蓝色色调，半金属色

熔点（°C） 1410  密度（g / cm3） 2.33  沸点   3173K（2900℃） 电导率 2.52×10⁻⁴ /（米欧姆）

产品优势    靶材纯度高,致密度高,成分均匀

产品规格    图片靶材，矩形靶材，圆柱靶材，台阶片靶材，管型靶材，根据客户的图纸定制

产品用途 磁控溅射镀膜材料等

产品附件 正式报价单/购销合同/装箱单/材质分析检测单

适用仪器 各类型号磁控溅射设备

服务项目  靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧

加工流程  熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

公司介绍

     北京晶迈中科材料技术有限公司坐落于北京通州区创建于2015年,是国内有色金属行业综合性研究开发公司。 现有员工100余人。我公司光学镀膜材料中心以国内领先的技术，多年来一直专业从事光学镀膜材料及溅射靶材的研发与生产。靶材包括各种氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、复合物、金属及合金等，也可根据您的要求量身定做。通过严格控制生产、并持续改进、稳步发展，致力为客户提供最优质的产品。

     公司现有靶材热压炉；真空蒸馏装置，电解槽，单晶炉，区熔装置，CVD（化学气象沉积）装置，PVD（物理气象沉积）装置，移动式加热装置等多种高纯金属和化合物生产研发设备；提纯工艺包括：真空蒸馏；精馏；区域熔炼；电解；化学气象沉积；物理气象沉积；热扩散；单晶提拉法等。纯度从99.9%-99.99999%,公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品，产品涉及工具/装饰镀膜、玻璃镀膜、光学镀膜、平面显示/触摸屏镀膜、薄膜太阳能镀膜等多个领域广泛应用到国内外众多知名太阳能、航空航天、生物医疗、微电子、信息储存、汽车、船舶、装饰、工业镀膜、新能源企业当中。

   自有设备：真空热压炉，真空中频感应熔炼炉，冷坩埚悬浮熔炼炉，非自耗真空电弧炉，真空高温加热炉，真空烧结炉，真空蒸馏炉，定向凝固，区域熔炼炉，多温区加热炉，单晶炉，高温烧结炉，单温区，双温区、多温区液相、气相合成炉、氧化炉、加工设备。

     北京晶迈中科材料技术有限公司几年来已先后与国内几十家知名高校、中科院等研究院所建立了长期友好的合作关系，并与这些科研单位有密切的学术交流和技术合作项目，并远销欧洲、美国、日本、韩国等，在镀膜行业拥有良好的声誉。