微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻可能会出现显影不干净的异常，主要原因可能是显影时间不足、显影溶液使用周期过长，溶液溶解胶量较多、曝光时间不足。
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干方法：湿法清洗 去离子水冲洗 脱水烘焙（热板150～250C，1～2分钟，氮气保护）目的：
a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；
b、除去水蒸气，半导体光刻芯片技术，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲i基二硅胺烷）。
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常用的光刻胶主要是两种，正性光刻胶（itive photoresist）被曝光的部分会被显影剂清除，负性光刻胶(negative photoresist)未被曝光的部分会被显影剂清除。
接近式光刻机，光刻版与光刻胶有一个很小的缝隙，因为光刻版与衬底没有接触，缺陷大大减少，优点是避免晶圆片与光刻版直接接触，缺陷少，缺点是分辨率低，存在衍射效应。
光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，器件光刻芯片技术，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
光刻层间对准，即套刻精度（Overlay），山东光刻芯片技术，保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。曝光中较重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，数字光刻芯片技术，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法：
a、接触式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。
b、接近式曝光（ProximityPrinting）。
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