功率器件光刻工艺定制 半导体镀膜 山西功率器件光刻工艺

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，功率器件光刻工艺定制，以及行业应用技术开发。

一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关。

根据曝光方式的不同，光刻机主要分为接触式，接近式以及投影式三种。接触式光刻机，曝光时，光刻版压在涂有光刻胶的衬底上，山西功率器件光刻工艺，优点是设备简单，分辨率高，没有衍射效应，缺点是光刻版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片和光刻版上产生缺陷，降低光刻版使用寿命，成品率低。接近式光刻机，光刻版与光刻胶有一个很小的缝隙，因为光刻版与衬底没有接触，缺陷大大减少，优点是避免晶圆片与光刻版直接接触，缺陷少，缺点是分辨率低，存在衍射效应。投影式曝光，一般光学系统将掩模版上的图像缩小4x或5x倍，聚焦并与硅片上已有的图形对准后曝光，每次曝光一小部分，曝完一个图形后，硅片移动到下一个曝光位置继续对准曝光，这种曝光方式分辨率比较高，但不产生缺陷。

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光刻掩膜版清洗一般使用掩膜版清洗液，是有专门的额清洗机器的。首先将掩膜版放入掩膜版清洗机一边冲洗一边旋转，功率器件光刻工艺委托加工，将污染颗粒冲洗干净，功率器件光刻工艺厂商，之后在高速旋转烘干。目前而言，掩膜版清洗机可以清洗的掩膜版尺寸包括3寸，4寸，5寸，6寸的掩膜版。

光刻是一门比较综合的技术，它采用照相复印的技术，将光刻掩膜版上的图形在涂有光刻胶的金属蒸发层上。如果掩膜版受光刻胶污染，很大程度上会影响曝光，带来影响，因此光刻过程中需要保持掩膜版的干净。

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接触式光刻机，曝光时，光刻版压在涂有光刻胶的衬底上，优点是设备简单，分辨率高，没有衍射效应，缺点是光刻版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片和光刻版上产生缺陷，降低光刻版使用寿命，成品率低。

光刻胶是光刻工艺的材料：光刻胶又称光致抗蚀剂，它是指由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感的混合液体。

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