portant;">DDR3与DDR2的差异
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portant;"> 数据传输速率的差异是DDR3与DDR2=显著的区别，这部分上文已有描述，我们来看看其他方面的不同。
portant;"> 在供电方面，DDR3的工作电压降低至1.5V，实际上JEDEC标准规定1.575V为DDR3的安全工作电压。另外，标准也规定内存条所能经受的安全供电电压必须大于1.975V，当然，在这个电压下内存条可能已经不能正常工作但还不至于损坏。
portant;"> 在芯片级DDR3引入了异步Reset信号，该信号主要提供两方面的功能，其一是可以简化内存芯片上电后的初始化过程，其二是当内存系统进入一旦进入未知或不可控状态后可以直接Reset而无需掉电重启。
portant;"> 在接口方面，以普通的Un-Buffer内存条为例，DDR3与DDR2均为240个pin脚，尺寸一致但防呆槽的位置不同，由于工作电压不同二者在电气特性上也是互不兼容的。
portant;"> 在系统设计方面DDR3与DDR2的区别在于DDR3将时钟、地址及控制信号线的终端电阻从计算机主板移至内存条上，这样一来在主板上将不需要任何端接电阻。为了尽可能减小信号反射，在内存条上包括时钟线在内的所有控制线均采用Fly-by拓扑结构。同时，也是因为Fly-by的走线结构致使控制信号线到达每颗内存颗粒的长度不同从而导致信号到达时间不一致。这种情况将会影响内存的读写过程，例如在读操作时，由于从内存控制器发出的读命令传送到每颗内存芯片的时间点不同，将导致每颗内存芯片在不同的时间向控制器发送数据。为了消除这种影响，需要在对内存进行读写等操作时对时间做补偿，这部分工作将由内存控制器完成。DDR3总线的系统框架如下图所示，其中红线代表DQ、DM以及差分DQS信号线，黑线代表时钟、地址及控制信号线，T代表相应的端接电阻。
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